Beritasumut.com-Western Digital Corp. (NASDAQ: WDC), pemimpin global pada teknologi dan solusi perangkat penyimpanan data, Kamis (29/06/2017) hari ini mengumumkan keberhasilannya dalam mengembangkan teknologi 3D NAND generasi selanjutnya, BiCS4 dengan kapabilitas perangkat penyimpanan sebanyak 96 lapisan. Pengiriman contoh produk ke para pelanggan OEM diperkirakan akan dilaksanakan pada paruh kedua tahun 2017 dan pengiriman produk perdana diperkirakan akan dilakukan pada tahun 2018. BiCS4, yang dikembangkan bersama-sama dari teknologi Western Digital dan mitra perakitan Toshiba Corporation, akan pertama kali diimplementasikan pada chip 256 gigabit dan akan didistribusikan kemudian pada berbagai varian kapasitas, termasuk satu terabit pada sebuah chip tunggal. “Keberhasilan kami dalam mengembangkan teknologi 3D NAND 96-layer pertama di industri ini menandakan konsistensi kepemimpinan Western Digital pada teknologi flash NAND dan eksekusi nyata dari roadmap teknologi kami,” ujar Dr. Siva Sivaram, executive vice president of memory technology at Western Digital dalam siaran persnya. “BiCS4 akan tersedia dalam arsitektur 3-bit-per-sel dan 4-bit-per-sel, dan berisi inovasi teknologi dan perakitan untuk memberikan kapasitas penyimpanan 3D NAND, performa dan kehandalan tertinggi dalam biaya yang menarik bagi para pelanggan kami. Portofolio 3D NAND Western Digital didesain untuk menjawab kebutuhan pasar yang termasuk consumer, mobile, computing dan data center,” sambung Siva. Perusahaan ini juga menyoroti kuatnya operasi yang terus berjalan pada fasilitas perakitan patungannya di Jepang. Khususnya, WDC menekankan kembali ekspektasinya di tahun 2017 dimana output keseluruhan dari teknologi 3D NAND 64-layer, BiCS3, akan terdiri dari lebih 75 persen dari keseluruhan suplai bit 3D NAND. WDC kini percaya bahwa bersama dengan mitranya Toshiba Corporation, output bit 3D NAND 64-layer gabungan dari usaha patungan tersebut pada tahun 2017 akan lebih tinggi dibandingkan suplai produsen di industri lainnnya pada tahun yang sama.(Rel)